B4闪存

【B4闪存：运用最新技术原理，低耗、高速、高可靠性的闪存】
B4闪存是运用B4-HE技术(Back Bias assisted Band-to-Band tunneling Hot Electron)自主研发的闪存。B4闪存具有卓越的特点：高速擦写和高可靠性，拥有NOR闪存的高速读取以及接近于NAND闪存的低成本。

【GENUSION发明的新技术原理：B4-HE技术 (Back Bias assisted Band-to-Band tunneling Hot Electron)】
B4闪存运用自主研发的技术，存储单元使用P-MOS晶体管，技术操作通过以下三步完成
1)氧化带之间的沟道通电产生电子
2)偏置电压加速电子
3)部分被加速的热电子注入浮栅

【B4闪存已实现行业内最小的NOR cell】
由于浮栅长度的限制，传统NOR闪存浮栅长度在100nm~110nm之间。B4闪存基于新发明的B4-HE技术原理，突破了这一限制。50nm浮栅长度的B4闪存已确认工作正常。这种优良的细微加工技术，使B4闪存存储单元的尺寸只有传统NOR型闪存的一半，接近NAND闪存。130nm 4Mbit样品的测试通过，及和90nm 512Mb/1Gb的成功量产证实了B4闪存的可行性和高可靠性。目前正在研发90nm高密度闪存产品。

【市场对于B4闪存的期待】
由于自身固有的特点，NOR型闪存无法应对存储器的大容量化趋势。B4闪存拥有高速擦写，极小的存储单元，低成本，低功耗等优点，有望成为未来的程序存储器。2008年在芬兰·诺基亚公司主办的第一届供应商技术评比大赛"Mobile Rules'08"中 ，B4闪存被评为最佳未来存储技术并获得最优秀奖。另外，B4闪存在反复擦写以及高温环境下仍然具有卓越的数据保存能力。这特性使B4闪存有望解决迄今为止闪存应用技术上的难度。

嵌入式非易失性IP授权 （IP：知识产权）

【本公司嵌入式非易失性存储器IP】
为适应市场需求GENUSION可提供eCFlash、eB4Flash、eB4EEPROM 3种嵌入式非易失性存储器 IP授权业务。

适用于各种半导体产品，存储大型数据如SoC(System on Chip)、微型电子计算机、芯片，存储小容量数据如安全代码（security codes）、身份数据（ID data）等。

【MCU,逻辑器件用嵌入式NVM IP的新选择：B4-Flash IP】
eB4Flash IP是高性能微控制器和逻辑器件不可或缺的嵌入式非易失性存储器IP,其使用B4闪存的工作原理实现。根据B4闪存的工作原理,可以开发出高性能,高可靠性的嵌入式NVM解决方案。此外，eB4-Flash可以使用半导体行业通用的FG生产工艺，易于产品化；同时，与传统嵌入式NOR型NVM IP相比，存储单元cell可以减小到50nm以下。

【eB4Flash/EEPROM IP的特点】

1. 以small cell/Macro size实现低成本、大容量embedded NVM
• - B4-HE工作原理适用embedded应用
• - 微小的写入电流，简单升压电路即可动作
2. 实现高速读取
• - 使用高速感应电路，读取时间仅需15-20ns
3. 实现低功耗擦写动作
• - 使用B4-HE原理写入，FN擦除
4. 实现高可靠性
• - 以B4-Flash原理实现高可靠性
• - 20年连续读出
• - 擦写100K次后，125℃下,数据能保存20年

【eCFlash IP】
eCFlash IP是完全使用标准CMOS工艺的嵌入式存储器IP,不需要额外的掩膜技术，具有反复读写之后仍能保存数据的卓越特性。eCFlash IP业务可提供使用标准的CMOS工艺的hard macro存储内核以及RTL控制逻辑，。在0.35um到90nm各种CMOS工艺中，eCFlash在单一存储单元和存储队列（actual silicon of single non-volatile element and/or test array chip）中，已证实拥有卓越的稳定性和可靠性。

【eCFlash IP扩大了产品使用范围】
将eCFlash IP应用到CMOS工艺上，便能够拥有可反复读写、长期可靠存储、非易失性的闪存，极大地扩大了产品的使用范围。